ULSI制备中SiO2介质的化学机械抛光

摘要：

对超大规模集成电路(ULSI)制备中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件选择、抛光液成分与作用等进行了综述,对抛光浆料及抛光工艺中存在的一些难题进行了分析,对如何提高抛光速率、改善表面状况以及解决金属离子沾污等问题进行了讨论.

关键词：化学机械抛光、全局平面化、多层布线、超大规模集成电路、二氧化硅

所属期刊栏目：30

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：32-36