高温淬火对GaAs中深施主缺陷的影响

摘要：

研究了1 120 ℃高温淬火对非掺杂半绝缘LECGaAs中 EL2 浓度的影响．发 现真空条件下，在1 120 ℃热处理2 h ~ 8 h并快速冷却后，样品中EL2 浓度下降 近一个数量级．提高高温过程中的As压，可抑制 EL2 浓度的大幅下降．

关键词：非掺杂半绝缘LECGaAs、淬火、EL2 浓度、As压、抑制

所属期刊栏目：30

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：河北省自然科学基金195051

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：67-69