NTDFZSi片低温退火电阻率回升现象

摘要：

实验结果表明NTDFZSi片电阻率下降的幅度与硅片冷却速率有关.在由1200 ℃冷却到室温的过程中,冷却速度越快,硅片电阻率下降的幅度越大.另外,样品的厚度也是一个重要因素.实验指出,当样品厚度在1200 ℃以上时,硅片电阻率变化很小.特别值得指出的是,那些经高温退火电阻率下降的硅片再经650～680 ℃低温退火,可使硅片的电阻率得到回复.

关键词：NTDFZSi片、高温扩散、电阻率下降、冷却速率、低温退火

所属期刊栏目：29

分类号：TN304.12(半导体技术)

资助基金：河北省自然科学基金693158

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：73-75