有机场效应晶体管的数值研究

摘要：

有机场效应晶体管(OFETs,Organic Field effect tansistors)在平板显示、智能卡、射频标识牌、塑料电子学等方面存在广泛的应用,引起人们广泛的研究兴趣.本文推导了底部接触电极结构OFETs的解析模型,并且用数值方法研究了OFETs器件参量对OFETs性能的影响,并指出相应的优化途径.

关键词：有机场效应晶体管、模型、数值方法、优化

分类号：TN321.5(半导体技术)

在线出版日期：2007-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：198-202