对不同制备方法下的ZnO基薄膜晶体管透过率的研究

摘要：

文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO-TFT器件,并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较,得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异,其有较好的c-axis(002)方向择优取向,器件的平均透过率在85%以上.并研究了退后处理对器件性能的影响,并发现快速热退火有利于薄膜的晶化,降低缺陷态密度.

关键词：ZnO-TFT、透过率、快速热退火

分类号：TN304;TQ050;TB742(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金10374001;60576016;国家重点基础研究发展计划973计划2003CB314707;国家自然科学基金10434030

在线出版日期：2006-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：140-143