磷离子注入诱导InGaAsP/InP双量子阱混合的研究

摘要：

本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合.注入能量为120 keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2.注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒.实验结果表明,小剂量注入(～1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关.大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰.

关键词：离子注入、InGaAsP/InP双量子阱、量子阱混合

分类号：TN15(真空电子技术)

资助基金：国家自然科学基金60276013;北京师范大学校科研和教改项目

在线出版日期：2006-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：187-189