一种增强量子阱混合的新技术

摘要：

采用PECVD技术在1.55μn InGaAsP-InP MQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5～74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量.对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P-O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV.在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子阱混合的效果,该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜.

关键词：量子阱混合(QWI)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、带隙蓝移、光子集成(PIC’s)

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金60276013

在线出版日期：2006-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：132-134,155