低温热氧化法制备Bi2O3薄膜及其热氧化机理研究

摘要：

通过直流磁控溅射法在Si基片表面沉积Bi薄膜,然后置于氧气中加热.系统研究了热氧化温度对上述薄膜的物相组成、微观形貌的影响.X-射线衍射(XRD)结果表明,Bi薄膜可在200～270℃氧化形成Bi2O3薄膜.不同温度、不同氧化时间,样品的质量变化表明,磁控溅射沉积的Bi金属薄膜热氧化形成Bi2O3薄膜,遵循Mott-Cebrera热氧化机理.

关键词：Bi2O3、薄膜、热氧化

所属期刊栏目：43

分类号：TQ110.3

资助基金：广州市珠江科技新星项目201610010049

在线出版日期：2018-09-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：39-43