10.3969/j.issn.1009-220X.2005.04.001
溴氧化镧的缺陷发光
用高温固相法合成了具有缺陷发光的溴氧化镧基质.对样品进行了X-射线衍射、荧光光谱和热释光谱的测试.荧光光谱分析得出在1000℃合成溴氧化镧基质在350 nm到500 nm存在两个宽带发射,通过与LaOF、LaOCl的荧光光谱和热释光谱对比,得出溴氧化镧基质的发光归结于溴的缺陷,通过计算发现两种不同类型的缺陷能级分别为0.74 eV,0.70 eV.
缺陷发光、溴氧化镧、热释光谱
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O614(无机化学)
中国科学院资助项目20171018;50472077;广东省博士启动基金36706;013201
2006-02-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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