SiC MOSFET在Boost电路中的应用

摘要：

第三代半导体材料SiC功率器件由于高温、高频、高阻断电压等优良特性,有利于提升电能变换装置的功率密度和效率,减小重量和体积,降低制造成本.利用PSpice仿真软件测试SiC MOSFET和Si IGBT的静态特性,设计了SiC MOSFET的驱动电路,利用双脉冲电路测试SiC MOS-FET的动态特性.分析SiC MOSFET在Boost电路中的应用,利用单片机STM32F407ZG实现双脉冲以及PWM信号,最后搭建实验电路.实验结果表明,SiC MOSFET的开关响应速度快,导通电阻小,开关损耗小,电路效率高.

关键词：SiC MOSFET;静态特性;动态特性

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：陕西省教育科学"十三五"规划2020年度课题SGH20YI380

在线出版日期：2021-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：65-69