两步退火法对硫化铅薄膜光电性能的影响

摘要：

采用先低温O2气氛退火,后高温N2气氛退火的两步退火法工艺,探究了两步退火法对化学浴沉积(CBD)制备的多晶硫化铅(PbS)薄膜光电性能的影响.结果表明,相比于一步退火法,两步退火法所得的PbS薄膜具有较大的晶粒尺寸、较少的晶界和良好的光电性能.在两步退火法中,当第二步退火时间为80 min时,PbS薄膜的响应度为2.33 A·W-1,比探测率为1.18×1010 cm·H1/2·W-1,与一步退火法相比分别提高了259％和236％,即两步退火法可以在传统一步退火法的基础上进一步提高PbS红外光电探测器的性能.

关键词：薄膜、硫化铅薄膜、退火、化学浴沉积、响应度、比探测率

所属期刊栏目：43

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：江苏省双创团队项目JSSCTD202146

在线出版日期：2023-07-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：278-284