一种改进型单光子雪崩二极管探测概率模型及验证

摘要：

基于半导体工艺器件仿真软件和Matlab编程,对光子探测概率(PDP)进行了建模和实验表征.进一步考虑器件表面二氧化硅薄膜的光透射性,可以准确预测单光子雪崩二极管(SPAD)的性能.将模拟结果与采用0.18μm标准双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺设计和加工的SPAD的结果进行比较.结果显示,PDP的预测结果与实验结果之间具有良好的一致性,平均误差为1.72％.该模型可以减少商用器件仿真软件中存在的不收敛问题,极大减少了开发SPAD器件新结构所需的时间和成本.

关键词：光电子学、单光子雪崩二极管、薄膜透射、光子探测概率、Matlab建模

所属期刊栏目：43

分类号：O475(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;湖湘高层次人才聚集工程;湖南省科技厅项目;湖南省研究生科研创新项目

在线出版日期：2023-07-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：230-237