InGaAs自适应阱簇复合结构的偏振双峰辐射机制及能带特征

摘要：

研究一种基于富铟团簇(IRC)效应的新型高应变InGaAs/GaAs自适应阱簇复合(WCC)量子结构,该结构具有比较灵活的能带调控能力,可产生一种特殊的偏振双峰光谱.为探究该WCC结构的偏振双峰辐射机制及能带特征,利用IRC效应生长获得了自适应WCC结构,并测量了该新型结构的偏振光致发光(PL)光谱,在横向电场(TE)和横向磁场(TM)模式下,PL光谱皆显示出特殊的双峰结构.这主要是铟原子的自适应迁移导致有源层同时存在铟组分正常和铟组分降低的InxGa1-xAs材料所致.根据半导体激光器的跃迁矩阵元理论和PL光谱的双峰能量间距,阐明不同偏振模式下的光谱双峰与多组分InxGa1-xAs材料的对应辐射机制,同时确定该WCC结构的混合能带特征.该研究内容对IRC效应和新型WCC发光结构的发展和应用具有重要研究意义.

关键词：半导体激光器、InGaAs/GaAs、富铟团簇、偏振双峰光谱、混合能带

所属期刊栏目：43

分类号：O432(光学)

资助基金：国家自然科学基金;江苏省双创博士;江苏省双创博士;江苏省高等学校自然科学基金;江苏省高等学校自然科学研究面上项目;南京信息工程大学滨江学院引进人才启动基金;南京信息工程大学滨江学院引进人才启动基金

在线出版日期：2023-07-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：197-202