PdSe2纳米线薄膜/Si异质结近红外集成光电探测器

摘要：

提出了一种PdSe2纳米线(NWs)薄膜/Si异质结近红外集成光电探测器.采用热辅助硒化预先制备Pd NWs的方法合成大面积PdSe2 NWs,通过组装和转移NWs可制备包含8×8器件单元的集成光电探测器.光电性能测试结果表明,所设计的器件在200～1300 nm宽波段范围内均有明显的光响应,峰值位于810 nm附近.在零偏压下,器件在810 nm处的响应度(R)为166mA·W-1,当施加-2V偏压时,R值显著提高至3.24 A·W-1.此外,集成器件呈现出优异的均匀性,64个器件的电流开关比均为60左右.由于良好的性能均匀性,该集成光电探测器可应用于图像传感领域,能可靠地记录近红外光投射的"LASDOP"字母图像,展示了潜在的应用前景.

关键词：光电子学、光电探测器、PdSe2纳米线薄膜、近红外光、集成器件、图像传感

所属期刊栏目：41

分类号：O472.8(半导体物理学)

在线出版日期：2022-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：176-184