单晶金刚石侧向扩大生长中基团分布的调控

曹为高登付秋明赵洪阳马志斌

武汉工程大学;

摘要：

采用微波等离子体化学气相沉积法,在半开放式样品台上通过调整种晶在样品台中的凸出高度(Δh)实现了对微波等离子体中基团分布的调控,并进行了单晶金刚石的侧向外延扩大生长研究.将发射光谱与金刚石样品的傅里叶变换红外光谱、Raman光谱、白光干涉测试结果及光学形貌表征结果结合起来,分析了种晶在样品台中的凸出高度对侧向外延生长单晶金刚石的影响.结果 表明:随着凸出高度增大,等离子体中的C2(516.08 nm)基团在中心区域(-2～2 mm)的相对浓度增加,当凸出高度为0.6 mm时,中心区域碳源基团的浓度相对较高,导致该区域的纵向生长速率略高于周围区域的纵向生长速率,有利于生长面自主形成偏离(100)晶面一定…展开v

关键词：材料、单晶金刚石、发射光谱、基团分布、微波等离子体

所属期刊栏目：41

分类号：TL65+1(受控热核反应（聚变反应理论及实验装置）)

资助基金：国家自然科学基金11575134

在线出版日期：2021-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：107-115