A1GaInP材料LED微阵列热学特性分析

摘要：

发光二极管(LED)微阵列芯片在工作时积累的热量使结温过高,进而对LED微阵列芯片造成一系列不利影响,严重降低LED微阵列芯片工作的可靠性,甚至造成永久性损坏.散热问题是制约LED微阵列芯片工作性能提高的关键因素,是LED微阵列芯片在制备过程中亟待解决的问题之一.利用有限元分析软件,针对A1GaInP材料LED微阵列建立了有限元模型,详细介绍了实体模型建立、网格划分以及边界条件的施加方法.瞬态分析了在脉冲电流驱动下,单个单元和3×3单元工作时阵列的温度场分布,以及温度随时间的变化规律.为了改善阵列芯片的散热性能,设计了一种热沉结构,模拟分析了热沉结构对阵列温度分布的影响.

关键词：光学器件、热学特性、有限元分析、发光二极管微阵列、热沉、A1GaInP

所属期刊栏目：36

分类号：TN383(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;吉林省科技发展计划;吉林省科技发展计划;长春市科技发展计划

在线出版日期：2017-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：246-253