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10.3788/AOS201232.0130001

发光二极管归一化光谱模型的修正

引用
受自吸收等因素的影响,由发光二极管(LED)归一化光谱模型得到的光谱与实测LED光谱之间存在差异.为得到与实测LED光谱相吻合的归一化光谱模型,将由归一化光谱模型得到的理论光谱与实测光谱相减得到近似的自吸收谱.通过分析自吸收谱的峰值强度和半峰全宽与温度之间的关系以及其峰值能量与实测光谱峰值能量之间的定量关系,结合LED光谱的高斯模型和归一化光谱模型给出了自吸收谱的拟合表达式,并作为归一化光谱模型的修正项,对归一化光谱模型进行修正.在不同测试温度下的实验结果表明修正后的平均模型误差小于4%,证明由修正后的归一化光谱模型得到的光谱与实测光谱相吻合.

光谱学、归一化光谱模型修正、自吸收效应、发光二极管、自吸收谱

32

TN364+.2(半导体技术)

国家自然科学基金;重庆市自然科学基金

2012-04-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

277-283

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光学学报

0253-2239

31-1252/O4

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