超陷光黑硅结构研究

摘要：

研究了超陷光黑硅表面圆锥阵列结构的设计.将圆锥结构分为五层,利用等效媒质理论进行了参数设计.考虑了硅材料折射率随波长的变化,用严格耦合波理论对不同入射角,圆锥阵列结构高度以及占空比时的反射率进行了计算分析.发现,圆锥阵列超陷光结构的周期为135 nm,高度为480 nm时,在0°～60°入射角范围内,对波长为300～1200 nm的入射光的反射率都小于5％.

关键词：衍射、黑硅、等效媒质理论、超陷光、圆锥阵列结构

所属期刊栏目：31

分类号：O436(光学)

资助基金：国家863计划2011AA050518;国家973计划2010CB933702;上海市科学技术委员会纳米专项项目0952nm06400

在线出版日期：2012-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：53-57