铁电SBN薄膜电光系数的测量及其在波导中的应用

摘要：

利用溶胶-凝胶法在MgO(001)衬底上获得C轴择优取向的铁电铌酸锶钡(SBN)薄膜,主要介绍MgO(001)衬底上SBN60薄膜及掺入的K离子与Nb离子摩尔比例为1:3的SBN60薄膜横向电光系数r51的测量,实验测得不掺K的SBN60薄膜r51值为37.6 pm/V,掺K的r51值为58.5 pm/V.并由此设计一种基于MgO(001)衬底上的马赫-曾德尔型SBN60薄膜波导调制器,计算出在633 nm时,掺K比例为1:3的此种波导调制器半波调制电压值为10 V,不掺K的半波电压值为16 V,结果说明掺入K离子能增加薄膜的横向电光系数并有效的减少波导的半波调制电压.

关键词：薄膜光学、横向电光系数、掺K、M-Z型薄膜波导调制器、半波调制电压

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分类号：O484.4+1(固体物理学)

资助基金：中国科学院资助项目60008005;浙江省自然科学基金500077

在线出版日期：2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：121-125