GaN1-xPx三元合金的光学与结构特性

摘要：

对采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的GaN1-xPx三元合金进行了低温光致发光(PL)和X射线衍射(XRD)测试分析.与来自GaN层的带边发射相比,P的摩尔分数比为0.03,0.11和0.15的GaN1-xPx的光致发光峰分别呈现出了73 meV,78 meV和100 meV的红移,文中将这种红移归因于GaN1-xPx合金具有大的带隙能量弯曲系数.X射线衍射结果表明GaN1-xPx三元合金仍为六方结构晶体,且随着P组份比的增加,GaN1-xPx合金的(0002)衍射峰逐渐向小角度方向移动,即晶格常量变大,同时,(0002)衍射峰谱线不断宽化,说明由于替位式P原子的不规则分布以及部分间隙P原子的影响造成了GaN1-xPx样品的晶格畸变.在GaN1-xPx的光致发光谱及X射线衍射谱中均未观测到相应的有关GaP的峰,表明所生长的高P含量的GaN1-xPx三元合金没有产生明显的相分离.

关键词：光学材料、GaN1-xPx三元合金、金属有机化学气相淀积、X射线衍射、光致发光、红移

所属期刊栏目：24

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划20000683;国家自然科学基金60136020,60276031,60206001;国家高技术研究发展计划863计划2002AA305304

在线出版日期：2004-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：137-139