GaN薄膜的蓝光和红光发射机理研究

摘要：

由于生长工艺的不完善,非掺杂GaN薄膜中通常存在未知的杂质和缺陷,产生与这些未知杂质和缺陷能级相关的发光.报道了非掺杂GaN薄膜的692 nm红色发光,并研究了非掺杂GaN薄膜的蓝、红色发光的发射机理;利用作者提出的吸收归一化光致发光激发光谱,直接测量出了非掺杂GaN薄膜的蓝、红色发光的初始态能级,确定蓝色发光为施主价带跃迁复合,而红色发光为施主受主跃迁复合;给出了黄、蓝、红光的发射模型.所取得的结果对于确定未知杂质和缺陷的种类具有重要的参考价值.

关键词：发光学、光致发光、半导体薄膜、发光机理、GaN、蓝和红色发光、吸收归一化光致发光激发谱

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分类号：O472.3:O433.4(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金699888005,60178020;广东省自然科学基金970148,011204;教育部留学回国人员科研启动基金

在线出版日期：2004-03-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1493-1496