旋光晶体在偏光干涉实验中电光效应的研究

摘要：

研究了旋光晶体在偏光干涉实验中的电光效应,给出了旋光晶体在偏光干涉实验中出射光强与晶体旋光性之间关系的表达式I=A20cos2[β-(π/λ)(nl-nr)l],以及与旋光晶体电光效应之间关系的表达式I=A20cos2[β-(π/λ)(nl-nr)l+(π/λ)(n2-n1)l].根据这些表达式给出的关系,将典型的旋光晶体La3Ga5SiO14制作成了电光Q开关,像那些用无旋光性晶体制作的Q开关一样工作良好.在中等功率输出的激光器中,La3Ga5SiO14晶体电光Q开关有可能取代氘化磷酸二氢钾(DKDP)晶体电光Q开关.

关键词：光学器件、电光Q开关、旋光性、电光效应、偏光干涉、La3Ga5SiO14晶体

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分类号：O482.537(固体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划1998061403;高等学校博士学科点专项科研项目2002042207

在线出版日期：2004-03-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1484-1488