气流混合对生长GaN∶Si膜性能影响的研究

摘要：

用金属有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了GaN∶Si膜.通过对样品的光电及结晶性能的分析,研究了气流混合时间不同对GaN∶Si膜性质的影响.结果表明:合理的Ⅲ、Ⅴ族气流混合对提高GaN∶Si膜的光电及结晶性能很重要.Ⅲ、Ⅴ族气流混合太早,气流混合时间长,GaN∶Si膜的黄带与带边发射强度之比较大,X射线双晶衍射半高宽较宽;Ⅲ、Ⅴ族气流混合太晚,尽管可减少预反应,但气流混合不均匀,致使GaN∶Si膜的发光性能及结晶性能变差.使用Ⅲ、Ⅴ族气流混合适中的反应管B生长,获得了光电及结晶性能良好的GaN∶Si单晶膜.

关键词：GaN∶Si、金属有机气相沉积技术、黄带

所属期刊栏目：22

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划715-001-0012;国家自然科学基金69676019;江西省跨世纪人才培养基金

在线出版日期：2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：182-185