低温等离子体氧化α-Si∶H薄膜的蓝光发射

摘要：

通过荧光光谱研究了放电等离子体氧化的α-Si∶H薄膜的荧光特性，在450 nm～500 nm范围内常温下观察到强蓝光发射，发光强度随沉积氧化的周期数增加而增强。发射带呈七峰结构，位置分别为460 nm、465 nm、472 nm、478 nm、485 nm、490 nm、496 nm。实验结果直接证明了蓝光发射与缺陷能级有关，其起源于Si-O结合特定组态而形成的发光中心。

关键词：α-Si∶H薄膜、等离子体氧化、蓝光发射

所属期刊栏目：21

分类号：O484.4+1(固体物理学)

资助基金：苏州大学校科研和教改项目;广东省科技攻关项目ZKB00805G

在线出版日期：2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：676-678