10.3321/j.issn:0253-2239.1999.04.004
半导体超辐射发光管自发发射因子的估算
自发发射因子β是半导体光电器件的重要参数, 在以往对超辐射发光管的特性分析, 特别是应用速率方程对超辐射器件的光强进行估算时, 多沿用与超辐射发光器件相应结构激光器的β因子, 由于两者的光输出特性不同, 这种沿用不仅会造成β因子物理意义上的混乱, 而且也给超辐射器件光电特性的分析带来了较大的误差. 对超辐射发光管的自发发射因子β进行了讨论, 提出了平均自发发射因子的概念, 并对增益导引及折射率导引的β因子进行了估算和比较.
自发发射因子、超辐射发光管、增益导引、折射率导引
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TN2(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金69896260;69777005
2008-08-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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