石英上Al纳米阵列的制备及荧光增强性能

摘要：

针对透明衬底上紫外共振金属纳米阵列制备的技术需求,在不导电石英衬底上,采用电子束曝光制备Al纳米阵列,并对其形貌及性能进行研究.在电子束曝光过程中,引入Cr金属层克服衬底不导电问题.采用曝光剂量测试和加工参数调节优化纳米棒形貌.采用时域有限差分法分析Al纳米棒在325 nm紫外光激发下的电场分布,并以Langmuir-Blodgett(L-B)技术将CdSe/ZnS量子点沉积在Al纳米阵列表面进一步明确其荧光增强性能.结果表明,1200 μc/cm2剂量下制备的Al纳米棒尺寸分布均匀,最终获得了取向互相垂直的四个区域集成的Al纳米阵列.光学性质分析表明,Al纳米棒阵列可使CdSe/ZnS量子点的荧光强度增强约1.7倍.仿真结果表明,紫外光辐照下Al纳米棒末端电场强度明显高于纳米棒两侧,明确了量子点发光增强机理.成功在不导电衬底上获得多取向集成的、对量子点具有显著荧光增强效果的Al纳米阵列,为背光激发下量子点发光调控和偏振调制提供了一种新策略.

关键词：透明衬底、量子点、荧光增强、时域有限差分法

所属期刊栏目：31

分类号：TB383.1(工程材料学)

资助基金：吉林省科技厅自然科学基金资助项目No.20200201266JC

在线出版日期：2023-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：2052-2059