MEMS中基底和薄膜的CMP制造技术

摘要：

化学机械抛光(Chemical&Mechanical Polishing,CMP)工艺已运用于微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)中,并逐渐成为研制高品质微纳器件不可或缺的一道关键技术.区域压力调整、抛光终点检测等技术已经引入到CMP工艺,确保片内不均匀性(Within-wafer Nonuniformity,WIWNU)小于5％,同时有效减小“蝶形”和“腐蚀”等抛光缺陷.CMP在MEMS领域中的运用工艺过程更为复杂,抛光对象更为多元,表面质量要求更高.结合硅、介质层、石英、锗、铂和聚合物等自行开发的CMP工艺以及抛光后清洗处理,详细讨论和阐述CMP工艺如何运用于MEMS领域.实验结果表明,采用CMP工艺,结合抛光液改进和兆声清洗,不仅可以实现薄膜的全局平坦化,而且可以获得高品质的超薄基底、无损的硬质应变薄膜和用于低温直接键合的表面粗糙度小于0.5 nm键合表面.CMP技术是研制高品质的可应用于MEMS器件的基底和薄膜的有效手段.

关键词：化学机械抛光、微机电系统、区域压力调整、终点检测、表面粗糙度

所属期刊栏目：26

分类号：TG175(金属学与热处理)

资助基金：福建省高校产学合作项目资助项目2015H6021

在线出版日期：2018-11-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：1450-1461