基于薄膜退火的MoS2/SiO2/Si异质结太阳能电池光伏性能提高

摘要：

为了制备高效的MoSi/SiO2/Si异质结太阳能电池,利用磁控溅射技术制备MoS2薄膜,并在硫气氛下对MoS2薄膜进行退火处理.分别用退火和未退火的MoS2薄膜制备MoS2/SiOz/Si异质结太阳能电池,研究了退火对MoS2薄膜的微观结构和MoS2/SiO2/Si异质结太阳能电池光电性能的影响.实验结果显示,相比于未退火的,经过退火处理的MoS2薄膜的拉曼峰半高宽(FWHM)变窄,峰强增强,显微荧光光谱中也出现明显的激子发光峰.由此表明,退火处理使MoS2薄膜由非晶向晶态转变,薄膜的体缺陷减少,异质结太阳能电池的开路电压和填充因子得到提升,器件转换效率从0.94％提高到1.66％.不同光照强度下的J-v测量和暗态的J-v测量结果表明,经退火处理的MoS2薄膜的异质结太阳能电池具有较高的收集电压和更接近于1的理想因子,这归因于退火导致MoS2薄膜的体缺陷的减少,近而降低了MoS2/SiO2/Si异质结太阳能电池器件的体缺陷复合.

关键词：太阳能电池、MoS2薄膜、退火、光伏性能

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分类号：TM914.42;O475

资助基金：国家自然科学基金青年基金资助项目61504036;河北省自然科学基金青年基金资助项目A2016201087;河北省高等学校科学研究指导项目Z2015121;河北省科技计划资助项目13214315;教育部博士点基金资助项目20131301120003;河北省高等学校科技研究项目QN20131115

在线出版日期：2017-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：597-602