PLZT陶瓷在多能场耦合下的光致伸缩效应

摘要：

为了消除高能光束照射下镧改性锆钛酸铅(PLZT)陶瓷的光致形变与光生电压之间的迟滞现象,建立了一种多能场耦合下的新型光致伸缩本构方程,实验研究了影响该迟滞现象的各种因素.首先,对光照作用下光-电-热-力多能场耦合作用进行理论分析,建立了光致伸缩效应的本构关系;然后,对反常光生伏特效应、光焦热效应、热释电效应、热膨胀效应以及压电效应进行理论推导,得到了新型的光致伸缩本构方程;最后,通过温度屏蔽实验和光致伸缩静态实验验证了提出的本构方程.实验表明:PLZT陶瓷表面的温升是造成迟滞现象的主要原因;实验曲线变化趋势与理论结果一致,显示理论模型合理;消除温度影响后,实验所用PLZT样品的光致形变达到饱和所用的时间约为10s.结果表明,降低PLZT陶瓷表面的温升能有效消除迟滞现象,提高光致形变响应速度;建立的光致伸缩本构方程为PLZT陶瓷驱动控制研究提供了理论基础.

关键词：PLZT陶瓷、多能场耦合、光致伸缩效应、本构方程

所属期刊栏目：23

分类号：TQ174.758

资助基金：国家自然科学基金资助项目51205205;中国博士后基金资助项目2012M521083;江苏省科研创新计划资助项目CXZZ13_0191

在线出版日期：2015-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：760-768