基于单片式微波集成电路的终端式MEMS微波功率传感器

摘要：

提出了一种基于塞贝克效应的终端式MEMS微波功率传感器,该传感器的制作工艺与GaAs单片式微波集成电路(MMIC)工艺兼容.利用热电偶检测温度差,生成与微波功率成比例的直流电压,由GaAs/Au热电偶串联构成热堆.传感器将电功率转化为热,再间接测量热堆生成的直流电压.采用微机械加工技术,去除了器件底部的GaAs衬底,从而减小了热损耗和电磁损耗,提高了灵敏度.测试结果表明,在0～20 GHz内,HFSS模拟的S11＜-22 dB;测试输入功率为-20～20 dBm时,频率为0～20 GHz;在20 GHz时,灵敏度高于0.15 mV/mW;在整个频率范围内,回波损耗低于-26 dB.

关键词：MEMS、微波功率传感器、MMIC

所属期刊栏目：17

分类号：TN62;TP212.1(电子元件、组件)

资助基金：the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 60676043;the National High-Tech Research and Development Program of China 863 ProgramGrant 2007AA04Z328

在线出版日期：2009-08-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1656-1659