使用原子力显微镜测量刻线边缘粗糙度的影响因素

摘要：

为了满足微电子制造技术中不断提高的刻线边缘粗糙度测量与控制精度的要求,对使用原子力显微镜(AFM)测量刻线边缘粗糙度的影响因素进行了研究.基于图像处理技术从单晶硅刻线样本的AFM测量图像中提取出线边缘粗糙度,并确定出其量化表征的参数.然后,根据线边缘粗糙度测量与表征的特点,对各种影响因素,包括探针针尖尺寸与形状的非理想性、AFM扫描图像的噪声、扫描采样问隔、压电晶体驱动精度、悬臂梁振动以及线边缘检测算法中的自由参数等进行了理论和实验分析,并分别提出了抑制及修正的方法.研究表明,在分析各种可能导致测量误差的影响因素的基础上,消除或减小其影响,可以提高刻线边缘粗糙度测量的准确度,为实现纳米尺度刻线形貌测量的精度要求提供理论与方法上的支持.

关键词：纳米测量、线边缘粗糙度、原子力显微镜、测量误差分析

所属期刊栏目：17

分类号：TG84;THL61;TH742.9(公差与技术测量及机械量仪)

资助基金：2003年教育部留学回国人员科研启动基金;哈尔滨工业大学校基金资助项目HIT.2002.28

在线出版日期：2009-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：839-848