SRAM、ROM的总剂量辐射效应及损伤分析

摘要：

为了研究大规模集成电路存储器的总剂量辐射效应,分别对SRAM和ROM两种存储器进行了60Coγ总剂量辐射实验.结果表明,这两种器件是对总剂量辐射效应敏感的器件.失效阈值在10～15 krad(Si)之间.实验还表明.研究SRAM、ROM的总剂量辐射效应,只对数据存取功能进行测试是不完善的,器件的静态功耗电流与动念功耗电流也是总剂量辐射效应的敏感参数,应该作为总剂量辐射效应失效阈值的有效判据.根据器件结构与实验结果,分析了SRAM和ROM器件的损伤机理,认为CMOS SRAM的损伤主要源于辐射产生的界面效应;而浮栅结构ROM的损伤则源于辐射产生的氧化物陷阱电荷与界面陷阱电荷.

关键词：SRAM、ROM、静态功耗电流、动态功耗电流、总剂量辐射效应

所属期刊栏目：17

分类号：TN47(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家863高技术研究发展计划资助项目863-2-5-1-13B

在线出版日期：2009-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：787-793