高阻硅上RF-MEMS共面波导设计及测量研究

摘要：

设计并实现了基于高阻硅RF-MEMS(射频-微机电系统)共面波导传输线(CWP), 并测量和分析了不同偏压下的特征阻抗值.利用部分电容法和保角变换法得到的分析公式确定了特征阻抗为50 Ω的共面波导的几何结构尺寸,采用MEMS准平面加工工艺在高阻硅衬底上实现了2.5 μm厚的金共面波导结构.在施加不同直流偏压的情况下对所设计的共面波导进行了S参数测量.计算了Winkel多项式中所有系数的具体表达式,运用该多项式获得了共面波导的特征阻抗,并与传统的特征阻抗提取方法进行了结果比较.实验数据表明,在中心信号线上施加的直流偏压对S参数的影响很小,而对共面波导特征阻抗的影响较为明显,当施加的直流偏压从0 V变为38 V时,特征阻抗的实部会增加,变化幅度小于1.2 Ω,虚部会减小,变化幅度小于0.8 Ω.

关键词：射频、微机电系统、共面波导、特征阻抗

所属期刊栏目：13

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G1999033105

在线出版日期：2005-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：158-164