N2分子二聚物在352.3 nm处增益特性研究

摘要：

利用微波放电激励高纯氮,并采用放大自发辐射法,研究了不同微波激励功率和不同N2气压条件下N2分子二聚物352.3 nm辐射的增益特性.给出了沿放电管轴线N2分子二聚物352.3 nm辐射的小信号增益系数随微波激励功率和充入放电管N2气压变化的规律.研究结果表明当微波功率大于100 W时,充入N2气压在330～1 800 Pa范围内,N2分子二聚物在352.3 nm处存在受激辐射特性.当微波功率为500 W,充入放电管的N2气压为1 100 Pa时,N2分子二聚物352.3 nm辐射的小信号增益系数最大为1.08% cm-1.另外,还给出了N2分子二聚物352.3 nm辐射增益沿放电管径向分布情况. N2分子二聚物352.3 nm辐射的增益系数在放电管中心最小,接近管壁时最大.

关键词：放大自发辐射、二聚物、增益

所属期刊栏目：13

分类号：TN248.2+1(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金69678006;哈尔滨工业大学校科研和教改项目HIT.2002.15

在线出版日期：2005-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：10-15