铁电存储器1T单元ID-VG特性的计算机模拟

摘要：

为了得到简单、准确且移植性强的铁电存储器1T单元ID-VG(电流转移特性)模型,通过引入漏极电压影响因子、阈值电压和极化饱和程度等因素,从理论上得到了和MOSFET电流模型结构一致的铁电存储器1T单元的ID-VG特性模型.与测试数据进行对比,验证了该模型的正确性.

关键词：铁电存储器、电流转移特性、器件模型

所属期刊栏目：19

分类号：TN43.3(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：广西工学院硕士科研基金070236

在线出版日期：2008-05-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：71-74