垂直Bridgman生长晶体界面的监测研究

摘要：

单晶半导体材料的垂直生长都使用了Bridgman法.在晶体生长过程中对固液界面的位置和形状进行监测虽十分重要却相当困难.该文探讨了根据许多半导体材料的电导率在固态与液态时相差很大这一特性来监测碲化镉晶体生长的涡电流技术的可行性,并在此基础上提出了一种新的描述晶体界面位置变化的冷态模拟方法,并经实验证实该方法可成功地描述晶体界面的位置及形状的变化.

关键词：碲化镉、涡电流、Bridgman

所属期刊栏目：15

分类号：O78(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金50276036

在线出版日期：2005-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：5-7,12