日研究不怕消磁的存储新材料

摘要：

日本理化研究所研究人员在美国《物理评论通讯》杂志网络版上发表论文说，他们发现一种人工合成的镉锇氧化物在特定温度下由导体变为非磁性半导体的原因。这种特性使其能够成为不怕消磁的存储新材料。根据理化研究所目前发表的新闻公报，多数物质在不同温度下其导电性能并不会发生变化，而有些种类的金属氧化物在温度变化时导电性能会发生改变。一种人工合成的镉锇氧化物在室温下拥有良好的导电性能，而被冷却到零下52摄氏度时，它会从导体转变成非磁性半导体。

关键词：存储材料、消磁、日本、技术创新

分类号：TP333(计算技术、计算机技术)

在线出版日期：2012-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：I0014-I0014