OLED器件空穴传输层中TPBI空穴阻档层的应用研究

摘要：

针对有机发光器件中普遍存在空穴漏电流影响发光效率的问题,将2nm的TPBI薄层引入到TPD空穴传输层中,改变该薄膜位置考察对器件光电性能的影响.结果表明,引入TPBI薄膜后器件发光效率均有明显提高.其中,当TPBI薄膜距离阳极界面10nm时,器件的最大发光效率为4.89cd/A,相对于没有阻档层的常规器件提高52.3%.同时,器件的电流性能变化明显,随着减小TPBI薄膜与阳极的距离而减小.这说明,TPBI薄膜具备阻挡或者减缓空穴传输的能力,从而减小空穴漏电流,平衡发光层中的载流子并提高发光效率;同时,被阻挡的空穴积累在TPBI界面也将改变器件内的电场分布,从而TPBI位置不同,器件的电场分布也不同,体现为器件的电学性能随之改变.

关键词：有机发光、空穴阻挡、TPBI、载流子平衡、发光效率

分类号：O432(光学)

在线出版日期：2011-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：138-139