高温处理对PCS裂解SiC基体的微晶形态及C/C-SiC材料性能的影响

摘要：

采用聚碳硅烷(PCS)作为先驱体,通过浸渍裂解法制备C/C-SiC材料,分别经过1 400、1 500、1 600℃高温处理,研究了不同处理温度对SiC基体的微晶形态及C/C-SiC材料力学性能和抗氧化性能的影响.结果表明,3种处理温度下,SiC的晶型主要为β-SiC.温度升高,晶粒尺寸增大,1 500℃以后生长速度减缓；SiC微晶优先沿着(111)晶面生长,(220)和(311)晶面的生长取向逐渐增加.处理温度升高,C/C-SiC材料的弯曲强度和剪切强度不断下降.1 400℃处理后,C/C-SiC材料的断裂方式呈现出非常明显的韧性断裂.C/C-SiC材料在1 500℃静态空气中的氧化失重率随高温处理温度的升高而逐渐增大,氧化程度越来越严重,断面典型区域的氧化形貌由“尖笋状”成为“梭形”.

关键词：高温处理、SiC基体、微晶形态、C/C-SiC材料、力学性能、抗氧化性能

所属期刊栏目：35

分类号：V259(航空用材料)

在线出版日期：2012-06-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：127-132