2D C/SiC复合材料阻尼性能研究

摘要：

测试了CVI工艺制备的2D C/SiC复合材料的阻尼性能,讨论了其阻尼机制,分析了涂层、测试频率和热处理等因素对其阻尼峰的影响.结果表明,2D C/SiC复合材料的阻尼峰值可达1.86×10-2,其阻尼机制主要为微裂纹扩展、增强纤维阻尼及界面阻尼;SiC涂层可大幅度降低2D C/SiC复合材料的阻尼性能,消除阻尼特性曲线上的阻尼峰;2D C/SiC复合材料阻尼峰随加载频率的升高而降低;高温热处理使2D C/SiC复合材料阻尼峰降低.

关键词：2D C/SiC复合材料、阻尼性能、CVI工艺

所属期刊栏目：29

分类号：TB332(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金90405015;国家自然科学基金50425208

在线出版日期：2007-01-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：455-459