16 Gb/s GaN数模转换器芯片

摘要：

南京电子器件研究所基于76.2 mm(3英寸)0.1μm GaN工艺,采用f1/fmax分别为100 GHz/165 GHz的耗尽型晶体管设计,首次研制出16 Gb/s的3bit DAC芯片.该芯片内核面积约为1.20 nun×0.15 mm.图1为芯片照片,包括驱动及内核电路.图2为芯片400 Mb/s刷新率时输出三角波测试结果.图3为芯片最高16 Gb/s刷新率时输出测试结果.

机标关键词：数模转换器

所属期刊栏目：37

分类号：TN792;TN402;TP335.4

在线出版日期：2017-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：封3