具有纵向源极场板的绝缘体上硅器件新结构

摘要：

采用软件仿真一系列横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Laterally double-diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)结构,为缓解绝缘体上硅(Silicon on insulator,SOI)器件的击穿电压VB和漂移区的比导通电阻R.n.sp之间的矛盾关系,提出了一种具有纵向源极场板的双槽SOI新结构.该结构首先采用槽栅结构,以降低比导通电阻Ron.sp;其次,在漂移区内引入SiO2介质槽,以提高击穿电压VB;最后,在SiO2介质槽中引入纵向源极场板,进行了电场重塑.通过仿真实验,获得器件表面电场、纵向电场曲线及器件击穿时的电势线和导通时的电流线等.结果表明,新结构的VB较传统LDMOS器件提高了121％,Ron.sp降低了9％,器件优值FOM值达到15.2 MW· cm-2.

关键词：绝缘体上硅、击穿电压、比导通电阻

所属期刊栏目：37

分类号：TN335(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;河北省自然科学基金

在线出版日期：2017-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：124-128