图形化蓝宝石衬底掺杂渐变GaN肖特基型紫外探测器
在图形化蓝宝石衬底掺杂渐变的氮化镓(GaN)外延片上制备了肖特基型紫外探测器.与传统结构器件相比,该器件表现出显著改善的电学和光学特性:(1)室温下,当偏压为-5V时具有极低的暗电流密度~1.3×10-8 A/cm2;(2)在零偏压情况下,紫外/可见光抑制比为~4.2×103,最高的响应度为~0.147 A/W,最大外量子效率为~50.7%,甚至在深紫外波段(250~360 nm)平均量子效率也大于40%;(3)平均开启和关闭瞬态响应常数分别为115 μs和120μs,基本不随偏压变化,且具有很好的热稳定性;(4)零偏压下热噪声限制的极限探测率为~5.5×1013 cm· Hz1/2/W.
图形化蓝宝石衬底、氮化镓肖特基型紫外探测器、光电特性、热噪声
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TN383(半导体技术)
国家自然科学基金;江苏省自然科学基金;江苏省自然科学基金;江苏省自然科学基金;普通高等学校研究生科研创新计划
2017-05-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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