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X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器

引用
在101.6 mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片.根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损.在8.5~10.5 GHz内,测得该限幅器插入损耗约0.65 dB,输入输出驻波≤1.5;当限幅器输入脉冲功率(9.5 GHz,脉宽8 ms、占空比40%)达50 dBm(100 W)时,保持壳温120℃,输出漏功率最大18 dBm,持续时间20 min后,未见损坏.

微波单片集成电路、GaAs PIN、大功率限幅器

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TN43;TN722.3;TN722.7.2(微电子学、集成电路(IC))

2017-05-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

99-102,139

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固体电子学研究与进展

1000-3819

32-1110/TN

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2017,37(2)

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