基于70nm GaAs MHEMT工艺的W波段低噪声放大器

摘要：

报道了一种采用电子束直写70 nm“Y”型栅工艺制备的GaAs MHEMT器件及W波段低噪声放大器.器件的最大跨导可达到1 050 mS/mm,最大电流密度可达650 mA/mm.通过小信号S参数测试,可外推其电流增益截至频率fT及最大振荡频率fmax分别达350 GHz及470 GHz.采用该工艺制备的W波段低噪声放大器,在86～96 GHz频段可实现噪声系数小于3 dB,增益大于20 dB.

关键词：电子束直写、W波段、低噪声放大器

所属期刊栏目：37

分类号：TN492(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2017-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：94-98