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Ku波段20W GaN功率MMIC

引用
报道了一款采用三级放大结构的Ku波段高效率GaN功率放大器芯片.放大器设计中通过电路布局优化改善功放芯片内部相位一致性,提高末级晶胞的合成效率,最终实现整个放大器功率及效率的提升.经匹配优化后放大器在14.6~17.0 GHz频带内脉冲输出功率大于20 W,功率附加效率大于36%,最高39%.功率放大器芯片采用0.25 μm GaN HEMT 101.6 mm(4英寸)圆片工艺制造,芯片尺寸为2.3 mm×1.9 mm.

AlGaN/GaN、GaN功率放大器、Ku波段、微波单片集成电路

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TN722.7.5;TN492(基本电子电路)

2017-05-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

77-80,98

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固体电子学研究与进展

1000-3819

32-1110/TN

37

2017,37(2)

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