毫米波GaN HEMT器件大信号模型

摘要：

介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型.该模型采用SDD的建模方法.提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果.与18 GHz的在片loadpull测试结果比较,模型仿真结果显示输出功率及效率与实测数据基本一致.

关键词：符号定义器件、GaN高电子迁移率晶体管、大信号模型

所属期刊栏目：37

分类号：TN325;TN45(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家高技术研究发展计划（863计划）

在线出版日期：2017-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：73-76