期刊专题

10.3969/j.issn.1000-3819.2008.03.031

多靶磁控共溅射纳米Ta-Al-N薄膜的阻挡性能研究

引用
采用磁控反应共溅射方法制备了纳米Ta-Al-N薄膜,并原位制备了Cu/Ta-Al-N薄膜,对薄膜进行了热处理.用四探针测试仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)以及台阶仪等研究了退火对薄膜结构及阻挡性能的影响.结果表明,Ta-Al-N薄膜具有优良的热稳定性.保持非晶态且能对Cu有效阻挡的温度可达800℃同时发现在900℃退火5 min后,薄膜开始晶化,在Cu/Ta-Al-N/Si界面处生成了Cu3Si等相,表明此时Ta-Al-N薄膜阻挡层开始失效.

钽铝氮薄膜、热退火、表面形貌、阻挡特性

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TN304.055(半导体技术)

国家自然科学基金项目N060371046;中南大学物理学院青年科技基2004008

2008-12-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

460-464

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固体电子学研究与进展

1000-3819

32-1110/TN

28

2008,28(3)

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