SiGeC异质结功率二极管通态特性研究

摘要：

研究了一种大功率低功耗P+(SiGeC)-n--n+异质结二极管结构.分析了Ge,C台量对器件正向通态特性的影响.结果表明:与常规的Si p-i-n二极管相比,在正向电流密度不超过1 000 A/cm+2情况下,P+(SiGeC)-n--n+二极管的正向压降有明显的降低.当电流密度为10 A/cm2时,Si P-i-n二极管的压降为0.655 V,而SiGeC异质结二极管的压降只有0.525 V,大大降低了器件的通态功耗.在相同正向电流密度的条件下,SiGeC异质结二极管在n-区存储的载流子比Si二极管的减少了1个数量级以上,这导致前者的关断时间远小于后者.

关键词：硅锗碳/硅异质结功率二极管、正向通态特性、大功率、低功耗

所属期刊栏目：28

分类号：TN313+.4(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金50477012;高等学校博士学科点专项科研基金20050700006;陕西省教育厅专项科研计划资助05JK268

在线出版日期：2008-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：455-459