Cl2/Ar/BCl3 ICP刻蚀对AlGaN的损伤研究

摘要：

感应耦合等离子体(ICP)刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用,初步研究了Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀对AlGaN材料的损伤.运用X射线光电子能谱(XPS)对ICP刻蚀前后的n型Al0.45Ga0.55N表面进行了分析,并对刻蚀后AlGaN材料在N2气中快速热退火进行了研究.结果表明,在N2气中550℃退火3 min对材料的电学性能有明显的改善作用.

关键词：感应耦合等离子体、铝铱氨、X射线光电子能谱、损伤

所属期刊栏目：28

分类号：TN304.2;TN405.98(半导体技术)

在线出版日期：2008-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：420-423